相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是EUV联盟，所主导的EUV光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。
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那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，
降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为193/1.32nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
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根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
…
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不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是在2003年，这个EUVLLC联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入EUV联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入EUV协会…。
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虽然说，联盟，但是，并没有立即研发出EUV光刻机
因为在90年代，ASML还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发EUV光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，ASML根本没有实力研发EUV光刻机，
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而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157nm研发，ASML收购米国光刻机SVG公司，获取了反射技术，2003年出品了157nm机器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案，
随后，林本坚带着浸入式193nm的方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm，那么。现在研发浸入式193nm，就意味着之前的巨量研发都打水漂，
最后，林本坚找到ASML，由于当时ASML公司在光刻机占有率很少，所以，决定了研发浸入式193nm，
ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程技术和成本，远远优于157nmF2…。
…
就这样，ASML正式一步步成为光刻机第一，并且，积累了原始的资金后，ASML正式在2007年，启动EUV光刻机研发，
在3年后，也就说2010年诞生的第一台EUV光刻机的研发用样机：NXE3100。
请英特尔、三星和台积电入股，希望大家共同承担EUV光刻机研发工程，因为每年的EUV光刻机的研发费用，需要每年10亿欧元。
…
虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机，但是，在光刻领域是赢家通吃，这是因为新产品总是需要至少1-3年时间，与芯片制造工厂在技术上之间磨合。
那么，ASML比尼康公司，提前2年时间，去改善问题和提高良率，最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一，到了2009年市场占有率不到30%，到了2020年，就更不用说了，只有10%，且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。
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本章完
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那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，
降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为193/1.32nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…
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根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，
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不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是在2003年，这个EUVLLC联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入EUV联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，担心曰本企业强大，米国拒绝尼康公司加入EUV协会…。
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虽然说，联盟，但是，并没有立即研发出EUV光刻机
因为在90年代，ASML还是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研发EUV光刻机，其每年研发的费用高达10亿美金，所以，在90年代，ASML根本没有实力研发EUV光刻机，
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而是跟随尼康光刻机的脚步，也从事157nm研发，ASML收购米国光刻机SVG公司，获取了反射技术，2003年出品了157nm机器…，很显然，在最后，不论技术，还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过，根据21世纪网络新闻记载，在2002年，台积电公司林本坚，在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案，
随后，林本坚带着浸入式193nm的方案，跑遍米国，曰本，德国光刻机公司，说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm，那么。现在研发浸入式193nm，就意味着之前的巨量研发都打水漂，
最后，林本坚找到ASML，由于当时ASML公司在光刻机占有率很少，所以，决定了研发浸入式193nm，
ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程技术和成本，远远优于157nmF2…。
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就这样，ASML正式一步步成为光刻机第一，并且，积累了原始的资金后，ASML正式在2007年，启动EUV光刻机研发，
在3年后，也就说2010年诞生的第一台EUV光刻机的研发用样机：NXE3100。
请英特尔、三星和台积电入股，希望大家共同承担EUV光刻机研发工程，因为每年的EUV光刻机的研发费用，需要每年10亿欧元。
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虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机，但是，在光刻领域是赢家通吃，这是因为新产品总是需要至少1-3年时间，与芯片制造工厂在技术上之间磨合。
那么，ASML比尼康公司，提前2年时间，去改善问题和提高良率，最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一，到了2009年市场占有率不到30%，到了2020年，就更不用说了，只有10%，且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。
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